1、用途：

      适用于通讯设备和采用类似技术的高频、超高频电子装置用。

2、结构示意图：

3、主要技术特性：

项目		SFT-50-2-51	SFT-50-3-51	SFT-50-5-51
介质耐压V		5000	5000	7500
灭晕电压V		1500	1900	3000
特性阻抗Ω
电容pF/m		105.0	98.1	97.1
衰减常数 dB/100m	0.4GHZ	-	-	14.8
	0.5GHZ	49.2	26.3	-
	1GHZ	72.2	39.4	24.6
	3GHZ	-	68.9	52.5
	5GHZ	164.1	95.2	-
	10GHZ	262.5	147.7	108.3
	18GHZ	-	-	157.5
	20GHZ	426.5	229.7	-
结构反射损耗dB	0.5GHZ	28	30	26
	5GHZ	23	23	21
	10GHZ	-	-	19
	18GHZ	-	21	16
	20GHZ	15	-	-
内导体直流电阻Ω/m		0.22	0.07	0.01
内导体伸长率%		1	1	25
内导体抗拉强度Mpa		758	758	-

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